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Impact of Oxygen stoichiometry on electroforming and multiple switching modes in TiN/TaOₓ/Pt based ReRAM

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Metadaten
Author: S. U. Sharat, Merin Joseph, Stefan Vogel, E. Hildebrandt, P. Komissinskiy, J. Kurian, Thomas Schröder, Lambert Alff
DOI:https://doi.org/10.1063/1.4965872
ISSN:1077-3118
ISSN:0003-6951
Title of the source (English):Applied Physics Letters
Document Type:Scientific journal article peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2016
Volume/Year:109
Issue number:17
First Page:173503
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Halbleitermaterialien
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