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A Fully Integrated 7-18 GHz Power Amplifier with On-Chip Output Balun in 75 GHz-fT SiGe-Bipolar

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Metadaten
Author: Winfried Bakalski, A. L. Scholtz, Andriy Vasylyev, Peter Weger, Werner Simbürger, R. Thüringer, H.-D. Wohlmuth
ISBN:0-7803-7800-8
Title of the source (English):Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Toulouse, France, 29 - 20 Sept. 2003, IEEE
Publisher:IEEE Operations Center
Place of publication:Piscataway, NJ
Document Type:Conference Proceeding
Language:English
Year of publication:2003
First Page:61
Last Page:66
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Schaltkreisentwurf
Institution name at the time of publication:Fakultät für Mathematik, Naturwissenschaften und Informatik (eBTU) / LS Schaltkreisentwurf
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