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In-operando and non-destructive analysis of the resistive switching in the Ti/HfO2/TiN-based system by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

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Metadaten
Author: Thomas Bertaud, Małgorzata Sowinska, Damian Walczyk, Sebastian Thiess, Christian Walczyk, A. Gloskovski, W. Drube, Thomas Schroeder
Title of the source (English):Applied Physics Letters
Document Type:Scientific journal article peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2012
Volume/Year:112
Issue number:4
First Page:043506
Last Page:043511
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Halbleitermaterialien
Institution name at the time of publication:Fakultät für Mathematik, Naturwissenschaften und Informatik (eBTU) / LS Halbleitermaterialien
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