CVD growth of (001) and (111) 3C-SiC epilayers and their interface reactivity with praseodymium oxide dielectric layers
Author: | Rakesh Sohal |
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URN: | urn:nbn:de:kobv:co1-opus-121 |
URL: | http://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/13 |
Document Type: | Doctoral thesis |
Language: | English |
Year of publication: | 2006 |
Tag: | CVD-Verfahren; Dielektrische Schicht; Kristallfläche; Siliciumcarbid |
Faculty/Chair: | Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Angewandte Physik und Halbleiterspektroskopie |
Institution name at the time of publication: | Fakultät für Mathematik, Naturwissenschaften und Informatik (eBTU) / LS Angewandte Physik / Sensorik |