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CVD growth of (001) and (111) 3C-SiC epilayers and their interface reactivity with praseodymium oxide dielectric layers

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Metadaten
Author: Rakesh Sohal
URN:urn:nbn:de:kobv:co1-opus-121
URL:http://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/13
Document Type:Doctoral thesis
Language:English
Year of publication:2006
Tag:CVD-Verfahren; Dielektrische Schicht; Kristallfläche; Siliciumcarbid
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Angewandte Physik und Halbleiterspektroskopie
Institution name at the time of publication:Fakultät für Mathematik, Naturwissenschaften und Informatik (eBTU) / LS Angewandte Physik / Sensorik
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