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W-Band Noise Characterization with Back-Gate Effects for Advanced 22nm FDSOI mm-Wave MOSFETs

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Metadaten
Author: Quang Huy Le, Dang Khoa Huynh, D. Wang, Zhixing Zhao, Steffen Lehmann, Thomas Kämpfe, Matthias Rudolph
DOI:https://doi.org/10.1109/RFIC49505.2020.9218369
ISBN:978-1-7281-6809-8
ISBN:978-1-7281-6810-4
ISSN:2375-0995
ISSN:1529-2517
Title of the source (German):2020 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC). 4-6 Aug. 2020, Los Angeles, CA, USA
Document Type:Conference publication peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2020
First Page:131
Last Page:134
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / Stiftungsprofessur Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik
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