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A streamlined drain-lag model for GaN HEMTs based on pulsed S-parameter measurements

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Metadaten
Author: Peng Luo, Frank Schnieder, Olof Bengtsson, Valeria Vadalà, Antonio Raffo, Wolfgang Heinrich, Matthias Rudolph
DOI:https://doi.org/10.1017/S1759078719000060
ISSN:1759-0787
ISSN:1759-0795
Title of the source (English):International Journal of Microwave and Wireless Technologies
Document Type:Scientific journal article peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2019
Volume/Year:11
Issue number:2
First Page:121
Last Page:129
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / Stiftungsprofessur Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik
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