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Tensile strained Ge layers obtained via Si-CMOS compatible approach

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Metadaten
Author: Giovanni CapelliniORCiD, Grzegorz Kozłowski, Yuji Yamamoto, Marco Lisker, Bernd Tillack, A. Ghrib, M. de Kersauson, M. El Kurdi, P. Boucaud, Thomas Schroeder
Title of the source (English):Journal of Applied Physics
Document Type:Scientific journal article peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2013
Volume/Year:113
Issue number:1
First Page:013513-1
Last Page:013513-6
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Halbleitermaterialien
Institution name at the time of publication:Fakultät für Mathematik, Naturwissenschaften und Informatik (eBTU) / LS Halbleitermaterialien
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