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An efficient drain-lag model for microwave GaN HEMTs based on ASM-HEMT

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Metadaten
Author: Petros Beleniotis, Frank Schnieder, Sascha Krause, Sanaul Haque, Matthias Rudolph
DOI:https://doi.org/10.1017/S1759078721001483
ISSN:1759-0795
Title of the source (English):International Journal of Microwave and Wireless Technologie
Document Type:Scientific journal article peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2022
Volume/Year:14
Issue number:2
First Page:134
Last Page:142
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / Stiftungsprofessur Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik
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