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High Yield Transferred Substrate InP DHBT

  • A transferred substrate InP DHBT of 0.8 mum emitter width was developed. The transistors featured high yield and homogeneous device characteristics over the three inch wafer, with an average of ft = 300 GHz plusmn 3%SD, fmax = 250 GHz plusmn 5%SD at a breakdown voltage of BVceo = 6 V.

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Metadaten
Author: Thorsten Kraemer, Friedrich LenkGND, Andre Maaßdorf, Joachim Würfl, Günther Tränkle
DOI:https://doi.org/10.1109/ICIPRM.2007.381210
ISBN:1-4244-0875-X
Title of the source (English):Indium Phosphide & Related Materials, 2007, IPRM '07, IEEE 19th International Conference, Matsue, Japan, 14 - 18 May 2007
Publisher:IEEE
Place of publication:Piscataway, NJ
Document Type:Scientific journal article not peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2007
First Page:407
Last Page:408
Faculty/Chair:Fakultät 3 Maschinenbau, Elektro- und Energiesysteme / FG Nachrichtentechnik
Institution name at the time of publication:Fakultät für Ingenieurwissenschaften und Informatik (eHL) / Prof. Nachrichtentechnik
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