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Simulation of the RF Power Performance of a GaN HFET and Comparison to Experiment

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Metadaten
Author: Caram Nasser, Peng Luo, Frank Schnieder, Matthias Rudolph, Dan Ritter
DOI:https://doi.org/10.1109/TED.2019.2907484
ISSN:0018-9383
ISSN:1557-9646
Title of the source (English):IEEE Transactions on Electron Devices
Document Type:Scientific journal article peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2019
Volume/Year:66
Issue number:5
First Page:2146
Last Page:2150
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / Stiftungsprofessur Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik
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