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Investigation of Ge-Based P-Channel Planar-Doped Barrier FETs integrated on Si

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Author: Yasmine Elogail, Fritz Berkmann, Caterina J. Clausen, Inga Anita FischerORCiD, Linda A. Hänel, Daniel Schwarz, Jörg Schulze
DOI:https://doi.org/10.1016/j.mejo.2022.105404
ISSN:1879-2391
Title of the source (English):Microelectronics Journal
Document Type:Scientific journal article peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2022
Volume/Year:123
Number of pages:11
Article number:105404
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Experimentalphysik und funktionale Materialien
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