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Impact of Dislocations and Dangling Bond Defects on The Electrical Performance of Crystalline Silicon Thin Films

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Metadaten
Author: S. Steffens, C. Becker, Daniel AmkreutzGND, André Klossek, Martin Kittler, Y.-Y. Chen, Alexander Schnegg, Max Klingsporn, Daniel Abou-RasGND, Klaus Lips, Bernd Rech
DOI:https://doi.org/10.1063/1.4890625
ISSN:1077-3118
ISSN:0003-6951
Title of the source (English):Applied Physics Letters
Document Type:Scientific journal article peer-reviewed
Language:English
Year of publication:2014
Contributing Corporation:HZB Berlin, IHP, Green Energy an Environment Research Labs, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu, Taiwan
Volume/Year:105
Issue number:2
First Page:022108
Faculty/Chair:Fakultät 1 MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik / FG Schaltkreisentwurf
Institution name at the time of publication:Fakultät für Mathematik, Naturwissenschaften und Informatik (eBTU) / LS Schaltkreisentwurf
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