TY - THES A1 - Calvet, Wolfram T1 - Präparation und in-situ Charakterisierung MBE-gewachsener Kupferindiumdisulfid-Schichten KW - Halbleitergrenzflächen KW - Photovoltaik KW - Dünne Schichten KW - Chalkopyrite KW - CuInS2 KW - MBE Y1 - 2002 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-000000242 UR - http://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/47 ER - TY - THES A1 - Goryachko, Andriy T1 - Investigations of perspective materials for aggressively scaled gate stacks and contact structures of MOS devices KW - silicon KW - praseodymium oxide KW - tungsten nitride KW - tungsten silicide KW - cobalt silicide KW - scanning tunneling microscopy KW - Angerelection spectroscopy Y1 - 2002 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-000000342 UR - http://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/59 ER - TY - THES A1 - Schweizer, Stefan T1 - Dynamisches Verhalten von Silizium-Elektroden in Fluor-haltigen Elektrolyten KW - Silizium KW - Oxidation KW - Voltammogramme KW - Injektion KW - AFM Y1 - 2004 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-000000526 UR - http://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/80 PB - Brandenburgische Techn. Univ. CY - Cottbus ER - TY - THES A1 - Meier, Ulrich T1 - Grenzflächenverhalten und Morphologie des ZnO/Si-Heterokontaktes: Eine Photoemissionsstudie KW - ZnO KW - Si KW - interface reaction KW - xPS KW - PES KW - photoelectron spectroscopy KW - solar cells KW - thin film KW - Zn(OH)2 KW - hydrogen KW - chemical beam deposition KW - magnetron sputtering KW - MOCBD Y1 - 2004 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-000000551 UR - http://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/71 ER - TY - THES A1 - Tavakoli, Mohammad Hossein T1 - Numerical analysis of seeding process during Czochralski growth of oxide single crystals KW - Kristallzüchtung KW - Czochralski-Verfahren KW - Ankeimprozess KW - Temperaturverteilung Y1 - 2006 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-145 UR - http://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/12 ER - TY - THES A1 - Lupina, Grzegorz T1 - Praseodymium Silicate high-k dielectrics on Si(001) KW - High-k dielectrics KW - Praseodymium silicate KW - XPS Y1 - 2006 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-421 UR - http://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/36 ER - TY - THES A1 - Meyer, Moritz Andreas T1 - Effects of advanced process approaches on electromigration degradation of Cu on-chip interconnects KW - Elektromigration Y1 - 2007 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-3509 UR - http://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/343 ER - TY - THES A1 - Sohal, Rakesh T1 - CVD growth of (001) and (111) 3C-SiC epilayers and their interface reactivity with praseodymium oxide dielectric layers KW - Siliciumcarbid KW - Kristallfläche KW - Dielektrische Schicht KW - CVD-Verfahren Y1 - 2006 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-121 UR - http://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/13 ER - TY - THES A1 - Lehmann, Carsten T1 - Elektronische Struktur dünner Halbleiterfilme (Chalkopyrite) als Absorbermaterialien für Dünnschichtsolarzellen KW - Photovoltaik KW - Dünnschichtsolarzelle Y1 - 2007 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-4319 UR - http://opus.kobv.de/btu/volltexte/2008/431/ ER - TY - THES A1 - Mandal, Dipankar T1 - Ultra-thin films of a ferroelectric copolymer: P(VDF-TrFE) KW - Grenzflächenchemie KW - Photoelektronenspektroskopie KW - Polymerfilm Y1 - 2008 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-5628 UR - http://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/439 ER - TY - THES A1 - Neubauer, Antje T1 - Untersuchung der ultraschnellen Elektronentransferdynamik an organisch/anorganischen Grenzflächen unter Einsatz von Femtosekundenspektroskopie im Ultrahochvakuum KW - Halbleiteroberfläche KW - Perylen KW - Synthetischer Farbstoff KW - Absorptionsspektroskopie KW - Elektronentransfer Y1 - 2009 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-7858 UR - http://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/711 ER - TY - THES A1 - Klocek, Jolanta T1 - Processing and investigation of thin films with incorporated carbon species for possible application as low-k materials N2 - In this thesis the detailed investigations concerning processing and stability of thin films including carbon species and their possible application as materials of a low dielectric constant (low k) are presented. In order to gather a complex information regarding the chemical, morphological and dielectric properties of the produced layer a combination of the spectroscopy: X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), near edge X-ray absorption fine structure spectroscopy (NEXAFS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR), microscopy: atomic force microscopy (AFM) and electrical characterization: capacitance-voltage technique (CV) have been applied. The films deposited by means of variety of techniques have been described, ranging from evaporation, through spraying and dropping to spin-coating. Regarding the possible low-k application, a considerable attention has been paid to the hybrid organic-inorganic 3-aminopropyl-trimethoxysilane (APTMS) based composite materials enriched with carbon species coming from the following dopants: C60 fullerenes, [6,6]-phenyl-C61-butyric acid (PCBM), copper phthalocyanine (CuPc), and tris(dimethylvinylsilyloxy)-POSS (POSS). In the following thesis progressive steps leading to gradual decreasing of the resulting permittivity of the hybrid material is presented. As revealed by the performed investigations, the replacement of C60 within the APTMS based matrix by its better soluble derivative PCBM allows the increase of the concentration of the carbon species within the composite films. The introduction of POSS as an additional dopant gave the opportunity of increasing the resistance of the produced material against the ambient influence. With the excess of the POSS concentration an original fractal-shaped cluster formation has been observed. Finally, the dispersion of the properly chosen low concentration of CuPc and POSS molecules within the APTMS based matrix led to the fabrication of homogenous layer with an ultra-low dielectric constant of 1.8. KW - X-ray photoelectron spectroscopy KW - Capacitance–voltage characterization KW - 3-Aminopropyltrimethoxysilane KW - Low-k materials KW - Atomic force microscopy Y1 - 2012 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-24358 UR - http://opus.kobv.de/btu/volltexte/2012/2435/ N1 - Auch im Südwestdeutschen Verlag für Hochschulschriften in Saarbrücken erschienen ER - TY - THES A1 - Kraatz, Matthias T1 - Studying the effect of Cu microstructure on electromigration reliability using statistical simulation KW - Electromigration KW - Simulation KW - Grain growth KW - Statistics Y1 - 2011 N1 - Dissertation wurde an der University of Texas in Austin eingereicht, Teilaspekte wurden an der BTU bearbeitet ER - TY - THES A1 - Karavaev, Konstantin T1 - In-situ Atomic Layer Deposition growth of Hf-oxide N2 - We have grown HfO2 on Si(001) by atomic layer deposition (ALD) using HfCl4, TEMAHf, TDMAHf and H2O as precursors. The early stages of the ALD were investigated with high-resolution photoelectron spectroscopy and x-ray absorption spectroscopy. We observed the changes occurring in the Si2p, O1s, Hf4f, Hf4d, and Cl2p (for HfCl4 experiment) core level lines after each ALD cycle up to the complete formation of two layers of HfO2. The investigation was carried out in-situ giving the possibility to determine the properties of the grown film after every ALD cycle or even after a half cycle. This work focused on the advantages of the in-situ approach in comparison to ex-situ experiments. The study provides to follow the evolution of the important properties of HfO2: contamination level, density and stoichiometry, and influence of the experimental parameters to the interface layer formation during ALD. Our investigation shows that the in-situ XPS approach for ALD gives much more information than ex-situ experiments. KW - Atomic layer deposition KW - ALD KW - X-ray photoelectron spectroscopy KW - XPS KW - Hf=2 Y1 - 2011 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-22617 UR - http://opus.kobv.de/btu/volltexte/2011/2261/ ER - TY - THES A1 - Müller, Sebastian T1 - Synchrotron radiation spectroscopy studies of the initial interaction of Chromium and Cobalt with the surface of Titanium Dioxide N2 - In the framework of this thesis, synchrotron radiation based spectroscopy methods are applied to study the electronic structures of stoichiometric Rutile single crystals and TiO2 thin films, and the initial stage of chromium and cobalt growth on TiO2 thin films. Resonance photoemission spectroscopy of clean TiO2 at the Ti L2,3 edges led to Auger-like features, with kinetic energies corresponding to the Ti L2,3M4,5M4,5 Auger decay channels. The presence of these features is assigned to origin from a d2L2 charge transfer state. The resonance of the Ti L3M2,3V Auger channel at the Ti L2 edge is assigned to the L2L3V Coster-Kronig Auger, followed by the normal L3M2,3V Auger decay. The deposition of chromium on the TiO2 film causes a strong interaction at the interface, in which TiO(2-x) is formed together with chromium in the Cr 3+ state. Besides the oxidized component, contribution of metallic chromium is found as well. In the ultra-low coverage regime, post-deposition oxidation is observed, in which metallic chromium is oxidized to Cr2O3, accompanied by re-oxidation of the substrate to TiO2. The interface reaction is also reflected by the appearance of two defect states in the band gap. Resonant photo-emission at the Cr 2p and Ti 2p edges shows well distinguishable Cr 3d respectively Ti 3d character of the respective states. Indications for self-cleaning properties are found by removal of surface carbon during storage in UHV, but the influence of chromium on these properties is not studied in detail. The interaction between cobalt and TiO2 is weaker than that of chromium and TiO2. Nevertheless, an interface reaction is found, in which some of the deposited cobalt is oxidized, while the oxide support is partly reduced. The particular oxidation state of Cobalt is identified by means of multiplet calculation including charge transfer and crystal field effects. The calculated XAS and XPS spectra indicate Co 2+ in a tetrahedral coordination with four oxygen atoms. The metallic component of cobalt gives rise to a broad resonance in the valence band down to -20 eV, with a pronounced satellite feature that reflects the oxidized component. KW - Titanium dioxide KW - Metal/metal-oxide interaction KW - Multiplet-calculation KW - Resonant photoemission Y1 - 2010 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-18914 UR - http://opus.kobv.de/btu/volltexte/2010/1891/ ER - TY - THES A1 - Henkel, Karsten T1 - Electrical Investigations on Praseodymium Oxide/Aluminum Oxynitride Containing Metal-Insulator-Semiconductor Stacks and on Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Structures Consisting of Poly[vinylidene fluoride trifluoroethylene] N2 - In this thesis electrical characterizations on metal-insulator-semiconductor (MIS) and metal-ferroelectric-insulator-semiconductor (MFIS) stacks are presented. The results are discussed in terms of the increase of the performance of these stacks in order to optimize the characteristics of devices like the field effect transistor (FET) for logic applications and the ferroelectric field effect transistor (FeFET) for non-volatile and non-destructive readout memory applications. Therefor, two material classes are investigated. Firstly, this work focuses on praseodymium oxide (PrxOy) films as a high-kmaterial on silicon (Si) and silicon carbide in MISsamples. In particular the improvement of the performance by the introduction of an aluminum oxynitride buffer layer, which acts as an interdiffusion barrier and reduces the leakage current, the interface state density and the equivalent oxide thickness, is demonstrated. Secondly, in this work the very attractive ferroelectric material poly[vinylidene fluoride trifluoroethylene] (P[VDF/TrFE]) is introduced in MFIS stacks on Si. The way of successive improvements of the MFIS stack is extensively discussed. Here, the optimization of the preparation of the samples as well as of the layer parameters in the sequence of the MFIS stacks is depicted. An improved long time stability of the memory functionof the MFIS stack with a partially optimized layer sequence is exhibited. The electrical results are correlated to spectroscopic findings on both material systems. Strong interfacial reactions between the PrxOy and Si as well as between the aluminum electrode and the P[VDF/TrFE] layer are observed. For both systems the importance of a buffer layer is discussed and its optimization is addressed, too. On both systems a very nice, as consistent, chain of improvements is shown caused by the spectroscopic controlled preparation combined with electrical measurements in order to obtain the functionality of a given material system. KW - Pr2O3 KW - P(VDF-TrFE) KW - capacitance-voltage KW - conductance-voltage KW - current-voltage KW - dielectric properties KW - high-k KW - feFET Y1 - 2009 SN - 978-3-8322-8404-6 PB - Shaker CY - Aachen ER - TY - THES A1 - Torche, Mohamed T1 - Praseodymium oxide as dielectric in MIS stacks KW - high-k KW - Pr2O3 KW - X-ray photoelectron spectroscopy KW - XPS Y1 - 2006 CY - Cottbus ER - TY - THES A1 - Seifarth, Olaf T1 - Properties of chromium, cobalt and nickel nanoparticles embedded into ordered block copolymers and conducting polymers KW - block copolymers KW - chromium nanoparticles KW - cobalt nanoparticles KW - nickel nanoparticles Y1 - 2006 CY - Cottbus ER - TY - THES A1 - Hoffmann, Patrick T1 - Untersuchungen zu Inhomogenitäten an der Halbleitergrenzfläche Silizium-Siliziumoxynitrid KW - Grenzflächeneigenschaften KW - SiO2 KW - SiON KW - Synchrotron-basierte Röntgen-Spektroskopie KW - XPS KW - XAS Y1 - 2003 SN - 3-8322-1982-X PB - Shaker-Verlag CY - Aachen ER - TY - THES A1 - Mikalo, Ricardo Pablo T1 - Elektronische Eigenschaften von leitfähigen konjugierten Polymeren und deren Grenzflächenreaktionen im elektrischen Kontakt mit Metallen KW - konjugierte Polymere KW - Photoelektronenspektroskopie KW - XPS KW - XAS Y1 - 2003 SN - 3-89959-115-1 PB - Der Andere Verlag CY - Osnarbrück ER - TY - THES A1 - Heller, Thomas T1 - Molekulare Resonanzen im Wirkungsquerschnitt der Photoemission in den Valenzzuständen der stöchiometrischen und der mit Natrium belegten WO3 und TiO2 (110) 1x1 Oberfläche KW - WO3 KW - TiO2 KW - Photoelektronenspektroskopie KW - Natriumadsorption Y1 - 2002 SN - 3-8322-0742-2 PB - Shaker CY - Aachen ER - TY - THES A1 - Yfantis, Alexandros D. T1 - Development and Characterisation of Corrosion Resistent Layers of Conducting Polymers on Aluminium Alloys KW - corrosion protection KW - conducting polymers KW - X-ray photoelectron spectroscopy Y1 - 2001 SN - 960-394-115-8 PB - Parissianou CY - Athen ER - TY - THES A1 - Appel, Günter T1 - Untersuchungen zur mesoskopischen und elektronischen Struktur von Polypyrroltosylat und Polypyrrolkupferphthalocyaninsulfonat KW - Polypyrroltosylat KW - Polypyrrolkupferphthalocyaninsulfonat KW - elektronische Struktur KW - XPS KW - XAS Y1 - 1999 SN - 3-8265-4830-2 PB - Shaker CY - Aachen ER - TY - THES A1 - Hofmann, Andreas T1 - Elektronische Struktur epitaktischer Chalkopyrite und deren Heterokontakte für die Photovoltaik Y1 - 2012 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-24434 N1 - Prof. Schmeißer, Gutachter, Arbeit am HZB CY - Cottbus ER - TY - THES A1 - Zimmer, Fabian T1 - Herstellung und Charakterisierung hocheffzienter, mikromechanischer NIR-Beugungsgitter für den Einsatz in miniaturisierten Spektrometern KW - Mikrosystemtechnik KW - MEMS KW - Mikrooptik KW - Mikrospiegel KW - Spektrometer Y1 - 2012 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-25224 UR - http://opus.kobv.de/btu/volltexte/2012/2522/ ER - TY - THES A1 - Dudek, Piotr T. T1 - Atomic scale engineering of HfO2–based dielectrics for future DRAM applications N2 - Modern dielectrics in combination with appropriate metal electrodes have a great potential to solve many difficulties associated with continuing miniaturization process in the microelectronic industry. One significant branch of microelectronics incorporates dynamic random access memory (DRAM) market. The DRAM devices scaled for over 35 years starting from 4 kb density to several Gb nowadays. The scaling process led to the dielectric material thickness reduction, resulting in higher leakage current density, and as a consequence higher power consumption. As a possible solution for this problem, alternative dielectric materials with improved electrical and material science parameters were intensively studied by many research groups. The higher dielectric constant allows the use of physically thicker layers with high capacitance but strongly reduced leakage current density. This work focused on deposition and characterization of thin insulating layers. The material engineering process was based on Si cleanroom compatible HfO2 thin films deposited on TiN metal electrodes. A combined materials science and dielectric characterization study showed that Ba added HfO2 (BaHfO3) films and Ti added BaHfO3 (BaHf0.5Ti0.5O3) layers are promising candidates for future generation of state of the art DRAMs. In especial a strong increase of the dielectric permittivity k was achieved for thin films of cubic BaHfO3 (k~38) and BaHf0.5Ti0.5O3 (k~90) with respect to monoclinic HfO2 (k~19). Meanwhile the CET values scaled down to 1 nm for BaHfO3 and ~0.8 nm for BaHf0.5Ti0.5O3 with respect to HfO2 (CET=1.5 nm). The Hf4+ ions substitution in BaHfO3 by Ti4+ ions led to a significant decrease of thermal budget from 900°C for BaHfO3 to 700°C for BaHf0.5Ti0.5O3. Future studies need to focus on the use of appropriate metal electrodes (high work function) and on film deposition process (homogeneity) for better current leakage control. KW - Dielectrics KW - High-k materials KW - Atomic Scale Engineering KW - HfO2-based materials KW - XPS Y1 - 2011 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-22775 UR - http://opus.kobv.de/btu/volltexte/2011/2277/ ER - TY - THES A1 - Rauscher, Stefan T1 - Dynamische Modifizierung von Silizium-Elektrolyt-Grenzflächen und deren oberflächenphysikalischen Eigenschaften Y1 - 2004 PB - Brandenburgische Techn. Univ. CY - Cottbus ER - TY - THES A1 - Michling, Marcel Frank T1 - Spektroskopische Untersuchungen an organischen Materialien und Metalloxiden N2 - Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde mit Synchrotron-basierenden, optischen und Elektronen-basierenden Methoden die elektronischen Eigenschaften zweier unterschiedlicher Materialklassen untersucht. Der Fokus lag dabei im besonderen auf der Bestimmung der Größe der Bandlücke/HOMO-LUMO-Lücke und ihre Abhängigkeit der verwendeten Methode. Die zwei unterschiedliche Materialklassen, welche untersucht wurden sind folgende: Erstens die organischen Systeme Cobalt-Phthalocyanin und Fulleren. An Ihnen wird der Einfluss der verwendeten Messmethoden aufgezeigt und die sich draus ergebenen HOMO- LUMO-Lücken (elektronisch, Volumen, Oberfläche, optisch) diskutiert. Es zeigt sich, dass die optische Methode (Ellipsometrie) generell den kleinsten Wert und die elektronischen Methoden (XPS, XAS) den größten Wert ergeben. Die Gründe dafür werden ausführlich diskutiert. Durch die Kombination von XPS- , XAS- und Ellipsometrie-Messungen war es möglich die Orientierung der aufgedampften CoPc-Moleküle auf den SiO2-Substrat zu bestimmen. Zweitens wurden die Metalloxide HfO2, Al2O3, In2O3 und Ga2O3 aufgrund ihrer großen technologischen Bedeutung untersucht. Mit Hilfe von ALD Zyklus-für-Zyklus Experimenten konnten die elektronischen Eigenschaften von HfO2 in Abhängigkeit der ALD- Zyklenzahl und das Wachstum von HfO2 in den ersten Zyklen studiert werden. Auf Basis der XPS- und EELS-Ergebnisse wurde ein Wachstumsmodell entwickelt. Es wird ebenfalls der Einfluss einer Dipolschicht an der Grenzfläche HfO2/SiO2 auf die Größe der Bandlücke in den EELS-Messungen diskutiert. Mittels resonanten Photoemission wurde ein neuer Auger-Mechanismus (3-Loch-Auger-Prozess) in den Oxiden gefunden. Dieser hat seine Ursache in Defekten. Defekte führen auch zu einer Fano-Anti-Resonanz, welche an der O1s-Absorptions-Kante beobachtet und diskutiert wird. KW - Spektroskopie KW - Organik KW - Metalloxide KW - Bandlücke KW - 3h-Auger Y1 - 2013 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-29014 UR - http://opus.kobv.de/btu/volltexte/2013/2901/ ER - TY - THES A1 - Richter, Matthias T1 - Excitons and Polarons in resonant Auger decay processes N2 - In the framework of this thesis synchrotron radiation spectroscopy is applied to study the electronic structure of organic semiconductors, of Graphene, and of transition metal (TM) oxide water splitting catalysts (Co-PI) with emphasis on excitonic and polaronic effects. For a correct theoretical description of the electronic structure of these material classes electron-phonon and electron-electron coupling as well as polarization and excitonic effects have to be considered. Excitons and Polarons are localized in-gap states. They are known to affect the optical properties of the material. Their influence can also be revealed in the resonant Auger decay profile. Even in TM-oxides Polarons and Excitons are observed as a consequence of an oxygen 2p to TM3d charge transfer. Therefor, the following three material classes are chosen for the fundamental study of Excitons and Polarons in resonant Auger decay processes. First, the existence of localized polaronic and excitonic states is investigated for regioregular-Poly(3 hexylthiophene-2,5-diyl) (rr-P3HT) and Phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) used as a light absorber in organic solar cells. The existence of 2D-Polarons, singlet Exciton, and triplet Exciton is demonstrated for rr-P3HT whereas for PCBM only singlet Excitons are observed. Singlet Excitons show an influence on the resonant Auger decay by a combined spectator-participator (S+P) Auger decay in the π*-band. Second, for a more detailed study of the (S+P) decay Highly Ordered Pyrolytic Graphite (HOPG) is chosen. For Graphene as a single layer of HOPG without van der Waals force another combination of Auger decays can be observed: a double spectator Auger (S+S) and a double spectator Auger-Gain (S+S)* decay. Third, Co-PI (cobalt oxide compound) is investigated. It is a TM-oxide catalyst used for the oxygen evolution reaction in photo-electrochemical cells. Self-trapped Excitons formed by resonant core electron excitation into self-trapped hole states give rise to a combined Auger decay process (S+P). For all three novel Auger decay processes {(S+P), (S+S), and (S+S)*} a model is proposed. KW - Exciton KW - Polaron KW - X-Ray absorption spectroscopy (XAS) KW - resonant photoemission spectroscopy (resPES) KW - Auger decay Y1 - 2014 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-29816 UR - http://opus.kobv.de/btu/volltexte/2014/2981/ ER - TY - THES A1 - Gerlich, Lukas T1 - In situ ARXPS Charakterisierung von tantalbasierten Barriereschichten N2 - Als eine Folge der Miniaturisierung aller integrierten elektrischen Bauteile wird der spezifische Widerstand der TaN/Ta Doppelsperrschichten ein zunehmend wichtiger Parameter für die Schaltgeschwindigkeit beim 32 nm Technologieknoten. In Rahmen dieser Arbeit wird die Optimierung der Abscheidung von TaN/Ta Stapeln durchgeführt, mit dem Ziel die Tantalnitridschichtdicke zu minimieren und das Tantal in der leitfähigeren alpha-Phase wachsen zu lassen. Im ersten Teil der Studie wurde in situ ARXPS verwendet, um das Wachstum von verschiedenen Tantalnitridschichten auf SiO2 und SiCOH in Abhängigkeit der Abscheidezeit, des Stickstoffflusses und der Abscheideleistung zu untersuchen. Im zweiten Teil wurde die kristalline Phase 20 nm dicken Tantal Schichten abgeschieden auf verschiedenen Tantalnitridschichten, die in der Wachstumsstudie vorgestellt worden sind, untersucht. Die wichtigsten Erkenntnisse sind das Auftreten von Tantalkarbid und Tantalsilizid als Zwischenschichtverbindungen bei der Abscheidung auf SiCOH und nur Tantalsilizid für die Abscheidung auf SiO2. Demzufolge wächst alpha-Tantal vorzugsweise auf Tantalkarbid und stickstoffreichen Zwischenschichten, während Silizid an der Schnittstelle das Wachstum von beta-Tantal fördert. Um die Ergebnisse zu überprüfen, wurden zwei weitere Modifikationen des Interfaces untersucht. So wurde eine kleinere Bias-Leistung für eine Abscheidung von Tantalnitrid auf SiO2 benutzt, um die Rolle des Tantalsilizids zu bestätigen. Außerdem wurde eine thermische Behandlung einer dünnen Tantalschicht auf SiCOH durchgeführt, um die Rolle des Tantalkarbids zu bestätigen. Schließlich ergab die Kontaktwiderstandsmessung in Viaketten auf strukturierten Wafern für vier ausgewählte Prozesse tendenziell den gleichen Verlauf wie die Schichtwiderstandsergebnisse der entsprechenden Barrierenaufbauten der Experimente auf blanken Testwafern. KW - Photoelektronenspektroskopie KW - Tantal KW - ARXPS KW - Barriere KW - Interface Y1 - 2013 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-28485 UR - http://opus.kobv.de/btu/volltexte/2013/2848/ ER - TY - THES A1 - Städter, Matthias T1 - Untersuchungen zu Fanoresonanzen in der resonanten Photoelektronenspektroskopie N2 - Im Mittelpunkt der vorliegenden Arbeit stehen die Untersuchung von Fanointerferenzen innerhalb der wissenschaftlichen Methode der resonanten Photoelektronenspektroskopie. Basis dieser Methode ist die Interpretation aus dem Festkörper emittierter Elektronen. Die detektierten Elektronen können dabei aus direkten Photoemissionen oder Deaktivierungsprozessen (Spectator-/Participator-Zerfälle) nach resonanten Anregungen von Rumpfelektronen stammen. Führen beide Prozesse zum selben Systemendzustand, können die emittierten Elektronen interferieren, was sich in der Ausprägung eines charakteristischen Intensitätsprofils, dem Fano-Profil, äußert. Die Form des Intensitätsprofils kann dabei über den Fanoparameter q beschrieben werden. Im Rahmen dieser Arbeit erfolgte die Diskussion von Fanointerferenzen an organischen (HOPG, Graphenflocken) und oxidischen (CuO, In2O3, SiO2) Materialsystemen. Im HOPG und den untersuchten Graphenflocken konnten mittels der Analyse der Fanoprofile exzitonische Zustände innerhalb der Bandlücke nachgewiesen werden. Durch die Untersuchungen am CuO konnte die Variation des Fanoparameters in Abhängigkeit vom Grundzustand des Systems gezeigt werden. Die für die untersuchten In2O3 Einristalle beobachteten Interferenzen beruhen auf der Existenz besetzter Zustände an der Fermienergie. Abschließend konnte eine Korrelation des jeweils auftretenden Fanoparameters mit den beobachteten multi-hole-Auger-Zerfällen nachgewiesen werden. KW - Fano KW - Fanointerferenzen KW - Festkörperphysik KW - In-gap Zustände KW - Resonante Photoelektronenspektroskopie Y1 - 2014 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-31860 UR - http://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/3186 ER -