TY - CHAP A1 - Müller, Klaus A1 - Burkov, Yevgen A1 - Mandal, Dipankar A1 - Henkel, Karsten A1 - Paloumpa, Ioanna A1 - Goryachko, Andriy A1 - Schmeißer, Dieter ED - Wöll, Christof T1 - Microscopic and spectroscopic characterization of interfaces and dielectric layers for OFET devices T2 - Organic Electronics : structural and Electronic Properties of OFETs KW - microscopic KW - spectrocsopic KW - dielectric Y1 - 2009 SN - 978-3-527-40810-8 SP - 445 EP - 468 PB - Wiley-VCH CY - Weinheim ER - TY - JOUR A1 - Müller, Klaus A1 - Burkov, Yevgen A1 - Schmeißer, Dieter T1 - Photo-Emission-Electron-Microscopy for Characterization of an Operating Organic Electronic Device KW - photo-emission-electron-microscopy Y1 - 2006 ER - TY - GEN A1 - Müller, K. A1 - Goryachko, Andriy A1 - Burkov, Yevgen A1 - Schwiertz, Carola A1 - Ratzke, Markus A1 - Köble, J. A1 - Reif, Jürgen A1 - Schmeißer, Dieter T1 - Scanning Kelvin probe and photoemission electron microscopy of organic source-drain structures T2 - Synthetic Metals Y1 - 2004 VL - 146 IS - 3 SP - 377 EP - 382 ER - TY - CHAP A1 - Müller, Klaus A1 - Milko, Sergey A1 - Burkov, Yevgen A1 - Schmeißer, Dieter T1 - Mischkristalle des Systems ZnS-CuInS2 für multispektrale Solarzellen T2 - Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft N2 - Wir haben CuInS2 (CIS) unterschiedlicher Herstellung (Koverdampfung, Sputtern, Pulsed Laser Deposition, CIS auf Kupferband aufgebracht) untersucht. Neben Tiefenprofilen (durch Sputtern) der Elementverteilung dieser Proben wurden der Einfluss der Temperatur, von aufgedampftem Kupfer und Indium, ebenfalls bei verschiedenen Temperaturen, auf das Verhalten der Stöchiometrie mit spektroskopischen Methoden (XPS, UPS) studiert. Parallel dazu wurde das Verhalten von im Vakuum aufgedampften ZnS und die entsprechenden Oberflächenreaktionen in Abhängigkeit von der Temperatur untersucht und charakterisiert, so dass Aussagen über die Optimierung und Anpassung von Präparationsbedingungen und Parametern zur Herstellung von erstens reinem CIS und zweitens von Mischkristallen des Typs Zn2-xCuxInxS2 möglich werden. Zwischen den beiden Endgliedern ZnS und CuInS2 besteht bis auf einen Phasenübergang bei etwa 80% CIS lückenlose Mischbarkeit gemäss Zn2-xCuxInxS2 (Bente: Chem.Erde (1991)). Die elektronische Bandlücke dieser Mischkristalle lässt sich im Vergleich zu reinem CuInS2 in einem Bereich von 3,67 eV (ZnS) bis 1,55 eV (CuInS2) variieren. Damit besteht die Möglichkeit, durch kontrollierte Änderung der Zusammensetzung der Schichten die Effizienz von Solarzellen aus diesem Material zu optimieren. KW - CIS-Solarzellen KW - Röntgen-Photoelektronenspektroskopie KW - Tiefenprofilierung Y1 - 2002 PB - Deutsche Physikalische Gesellschaft CY - Bad Honnef ER - TY - GEN A1 - Henkel, Karsten A1 - Torche, Mohamed A1 - Sohal, Rakesh A1 - Karavaev, Konstantin A1 - Burkov, Yevgen A1 - Schwiertz, Carola A1 - Schmeißer, Dieter T1 - Pr-O-Al-N dielectrics for metal insulator semiconductor stacks KW - semiconductor KW - dielectric Y1 - 2011 ER - TY - GEN A1 - Wehner, Stefan A1 - Karpitschka, Stefan A1 - Burkov, Yevgen A1 - Schmeißer, Dieter A1 - Küppers, Jürgen A1 - Brand, Helmut R. T1 - Stochastic aspects of pattern formation during the catalytic oxidation of CO on Pd(111) KW - stochastic KW - pattern KW - catalytic oxidation Y1 - 2010 ER - TY - GEN A1 - Henkel, Karsten A1 - Burkov, Yevgen A1 - Karavaev, Konstantin A1 - Torche, Mohamed A1 - Schwiertz, Carola A1 - Schmeißer, Dieter T1 - Optimization of the AION buffer layer for PrxOy/Si stacks KW - AION buffer Y1 - 2009 ER - TY - JOUR A1 - Schmeißer, Dieter A1 - Burkov, Yevgen A1 - Paloumpa, Ioanna A1 - Mandal, Dipankar A1 - Henkel, Karsten T1 - Microscopic and Spectroscopic Characterization of Interfaces and Dielectric Layers for OFET Devices Y1 - 2008 ER - TY - CHAP A1 - Henkel, Karsten A1 - Burkov, Yevgen A1 - Bergholz, Matthias A1 - Karavaev, Konstantin A1 - Sohal, Rakesh A1 - Torche, Mohamed A1 - Schmeißer, Dieter T1 - Al-Oxynitride as a buffer layer for high-k dielectrics T2 - Proceedings of 15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, Bad Saarow, 23 - 25 June 2008, Bad Saarow (Berlin) KW - buffer layer KW - high-k KW - dielectric Y1 - 2008 SP - 161 EP - 162 ER - TY - CHAP A1 - Burkov, Yevgen A1 - Henkel, Karsten A1 - Schmeißer, Dieter T1 - X-ray photoemission spectroscopy of Aluminium Oxynitride on Si(001) and the rise as buffer layers T2 - Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; Reihe 6, Bd. 43 N2 - Praseodymium oxide (PrxOy) is one of the candidate as high-k transistor gate dielectrics, but aluminium oxynitride (AlxONy) as buffer layer is needed to prevent diffusions from the silicon into PrxOy and to hinder charge injection from the semiconductor into the insulator. The thermal stability and thickness dependence of aluminum oxynitride (AlxONy) has been investigated by synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SR-PES). AlxONy layers were prepared by low energy ion-beam assisted deposition (LE-IBAD) at room temperature on a silicon substrate cleaned with HF-acid. Aluminium oxynitride is stable till 800∘C. From photoemission spectra we can assess that silicon oxynitride is built as first and then the growth of AlxONy follows. Resonant inelastic X-ray scattering measurements with synchrotron radiation have been performed. The combination of X-ray absorption spectroscopy (XAS) and RIXS make possible to determinate the band gap of AlxONy. Y1 - 2008 UR - http://www.dpg-verhandlungen.de/year/2008/conference/berlin/part/ds/session/23/contribution/5 SN - 0420-0195 SP - S. 243 PB - Deutsche Physikalische Gesellschaft CY - Bad Honnef ER -