TY - CHAP A1 - Hoffmann, Patrick A1 - Böhme, Oliver A1 - Schmeißer, Dieter A1 - Lloyd Spetz, Anita A1 - Mårtenson, Per T1 - Einfluß von Nanopartikeln auf die Funktion von Hochtemperatursensoren T2 - Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft N2 - Es werden Untersuchungen an als Hochtemperatur-Sensoren arbeitenden Schottky-Dioden mit dem Aufbau Metall-Oxidschicht-Siliziumkarbid vorgestellt. Dazu wurden Tiefenprofile mit XPS durch abwechselndes Abtragen durch Sputtern und Messen erstellt. Die Messungen erfolgten an thermisch unterschiedlich vorbehandelten Proben. Dabei konnten dipol-bedingte Verschiebungen der Bindungsenergie von Rumpfniveaus beobachtet werden. Das dazu notwendige Dipol-Moment wird durch das Entstehen von mit einer Oxidschicht überzogenen Nanoteilchen erklärt. Die unterschiedlich ausgeprägten Dipol-Verschiebungen auf den einzelnen Proben erlaubten eine Erklärung der thermischen Vorbehandlung, die bei Weglassen zu „frischen“ und je nach Temperatur zu „aktivierten“ oder „toten“ Sensoren führte. KW - Hochtemperatursensoren KW - Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) KW - Tiefenprofilierung Y1 - 1999 UR - http://www.dpg-verhandlungen.de/year/1999/conference/muenster/part/o/session/16/contribution/1?lang=en PB - Deutsche Physikalische Gesellschaft CY - Bad Honnef ER - TY - CHAP A1 - Heller, Thomas A1 - Böhme, Oliver A1 - Schmeißer, Dieter T1 - Gap - Zustände in Wolframoxid WO3 - relaxierten Oberflächen T2 - Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft N2 - Vorgestellt werden Arbeiten an dünnen WO3-Schichten, die durch Verdampfen aus einer Knudsenzelle im UHV präpariert wurden. Diese Filme sind im Rahmen der XPS-Analysen stöchiometrisch, ohne Gap-Zustände. Definierte Gap-Zustände bilden sich durch Relaxierung der Oberfläche: nach einigen Stunden im UHV, nach Heizen in Argon-Atmosphäre und nach Belegung mit Natrium. Die Charakterisierung dieser definierten Wolframoxid-Schichten erfolgt durch: 1.)XPS-Intensitäten 2.)detailierte Analyse der W4f-Rumpfniveaus durch Synchrotronstrahlung (Bessy, TGM 7) 3.)die Variation der Austrittsarbeit beim Heizen und bei Natrium-Belegung 4.)das Auftreten von Gap-Zuständen in der Bandlücke KW - WO3 KW - Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) KW - Gapzustände Y1 - 1998 UR - http://www.dpg-verhandlungen.de/year/1998/conference/regensburg/part/o/session/11/contribution/102?lang=en PB - Deutsche Physikalische Gesellschaft CY - Bad Honnef ER - TY - CHAP A1 - Heller, Thomas A1 - Böhme, Oliver A1 - Schmeißer, Dieter T1 - Molecular Resonances in the Photoionization Cross Section (PIX) of Oxidic Semiconductors T2 - Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft N2 - Despite their fascinating physical applications in sensoric there is no clear view of the electronic structure of these class of oxidic semiconductor materials. We studied the photo ionization cross sections (PIX) in a CIS like experiment of the valence states as well as the defect state and compare these to the CFS data obtained from X-ray absorption spectroscopy. While the first technique contains only transitions from a defined initial state the latter covers all the possible optical channels. We show for WO3-films that a structural reorganization of the surface is induced by doping (Na exposure) which increases the O2p/W5d orbital mixing. Pristine TiO2 (110) single crystals show basically the same behavior but have an initially stronger hybridization of Ti3d derived states with the O2p valence states. Upon doping the defect intensity is increased as well as the orbital hybridization. Our data give evidence that valence band derived states have almost the same orbital parentage like the defect state. They offer that the wave functions of these states are localized on a molecular scale. This is in contrast to the common treatment of resonances in the PIX which are usually discussed in terms of the resonant photoemission model, which does not include the possibility of mixed valence/defect states. KW - X-Ray photoelectron spectroscopy KW - X-Ray absorption spectroscopy KW - Photoionization Cross Section (PIX) KW - defect states Y1 - 2000 UR - http://www.dpg-verhandlungen.de/year/2000/conference/regensburg/part/o/session/15/contribution/3?lang=en PB - Deutsche Physikalische Gesellschaft CY - Bad Honnef ER -