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    <publishedYear>1999</publishedYear>
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    <publisherName>Deutsche Physikalische Gesellschaft</publisherName>
    <publisherPlace>Bad Honnef</publisherPlace>
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    <completedDate>2016-09-16</completedDate>
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    <title language="deu">Einfluß von Nanopartikeln auf die Funktion von Hochtemperatursensoren</title>
    <abstract language="deu">Es werden Untersuchungen an als Hochtemperatur-Sensoren arbeitenden Schottky-Dioden mit dem Aufbau Metall-Oxidschicht-Siliziumkarbid vorgestellt. Dazu wurden Tiefenprofile mit XPS durch abwechselndes Abtragen durch Sputtern und Messen erstellt. Die Messungen erfolgten an thermisch unterschiedlich vorbehandelten Proben. Dabei konnten dipol-bedingte Verschiebungen der Bindungsenergie von Rumpfniveaus beobachtet werden. Das dazu notwendige Dipol-Moment wird durch das Entstehen von mit einer Oxidschicht überzogenen Nanoteilchen erklärt. Die unterschiedlich ausgeprägten Dipol-Verschiebungen auf den einzelnen Proben erlaubten eine Erklärung der thermischen Vorbehandlung, die bei Weglassen zu „frischen“ und je nach Temperatur zu „aktivierten“ oder „toten“ Sensoren führte.</abstract>
    <parentTitle language="deu">Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft</parentTitle>
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    <enrichment key="UBICOseries">Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; Reihe 6, Band 34</enrichment>
    <enrichment key="BTU">an der BTU erstellt / created at BTU</enrichment>
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      <language>eng</language>
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      <value>Hochtemperatursensoren</value>
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      <value>Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS)</value>
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      <value>Tiefenprofilierung</value>
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    <collection role="institutes" number="1503">FG Angewandte Physik und Halbleiterspektroskopie</collection>
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