TY - CONF A1 - Müller, Klaus A1 - Milko, Sergey A1 - Burkov, Yevgen A1 - Schmeißer, Dieter T1 - Mischkristalle des Systems ZnS-CuInS2 für multispektrale Solarzellen T2 - Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft N2 - Wir haben CuInS2 (CIS) unterschiedlicher Herstellung (Koverdampfung, Sputtern, Pulsed Laser Deposition, CIS auf Kupferband aufgebracht) untersucht. Neben Tiefenprofilen (durch Sputtern) der Elementverteilung dieser Proben wurden der Einfluss der Temperatur, von aufgedampftem Kupfer und Indium, ebenfalls bei verschiedenen Temperaturen, auf das Verhalten der Stöchiometrie mit spektroskopischen Methoden (XPS, UPS) studiert. Parallel dazu wurde das Verhalten von im Vakuum aufgedampften ZnS und die entsprechenden Oberflächenreaktionen in Abhängigkeit von der Temperatur untersucht und charakterisiert, so dass Aussagen über die Optimierung und Anpassung von Präparationsbedingungen und Parametern zur Herstellung von erstens reinem CIS und zweitens von Mischkristallen des Typs Zn2-xCuxInxS2 möglich werden. Zwischen den beiden Endgliedern ZnS und CuInS2 besteht bis auf einen Phasenübergang bei etwa 80% CIS lückenlose Mischbarkeit gemäss Zn2-xCuxInxS2 (Bente: Chem.Erde (1991)). Die elektronische Bandlücke dieser Mischkristalle lässt sich im Vergleich zu reinem CuInS2 in einem Bereich von 3,67 eV (ZnS) bis 1,55 eV (CuInS2) variieren. Damit besteht die Möglichkeit, durch kontrollierte Änderung der Zusammensetzung der Schichten die Effizienz von Solarzellen aus diesem Material zu optimieren. KW - CIS-Solarzellen KW - Röntgen-Photoelektronenspektroskopie KW - Tiefenprofilierung Y1 - 2016 UR - https://opus4.kobv.de/opus4-UBICO/frontdoor/index/index/docId/17157 PB - Deutsche Physikalische Gesellschaft CY - Bad Honnef ER -